QSZ2TR

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 30 V, - 30 V

集电极—基极电压 30 V, - 30 V

发射极 - 基极电压 6 V, - 6 V

饱和电压 140 mV, - 190 mV

最大直流电集电极电流 1.5 A, - 1.5 A

耗散功率 1.25 W

增益带宽产品 300 MHz, 280 MHz

直流集电极 270 at 100 mA, 2 V

直流电流增益（Max） 270 at 100 mA, 2 V

技术 Si

高度 0.85 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

零件号别名 QSZ2