
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.28665 | ¥9.29 |
| 10 | ¥8.186541 | ¥81.87 |
| 25 | ¥7.395032 | ¥184.88 |
| 100 | ¥6.469225 | ¥646.92 |
| 250 | ¥5.677715 | ¥1419.43 |
| 500 | ¥5.017365 | ¥2508.68 |
| 1000 | ¥3.960971 | ¥3960.97 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 11.2 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 5.3 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 900 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
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0MT3S113TU,LF
型号:MT3S113TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.28665 |
| 10+: | ¥8.186541 |
| 25+: | ¥7.395032 |
| 100+: | ¥6.469225 |
| 250+: | ¥5.677715 |
| 500+: | ¥5.017365 |
| 1000+: | ¥3.960971 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.29