
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.91698 | ¥9.92 |
| 10 | ¥8.78361 | ¥87.84 |
| 25 | ¥7.933584 | ¥198.34 |
| 100 | ¥6.941886 | ¥694.19 |
| 250 | ¥6.091859 | ¥1522.96 |
| 500 | ¥5.383504 | ¥2691.75 |
| 1000 | ¥4.250134 | ¥4250.13 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 12.5 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 5.3 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 800 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
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0MT3S113(TE85L,F)
型号:MT3S113(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.91698 |
| 10+: | ¥8.78361 |
| 25+: | ¥7.933584 |
| 100+: | ¥6.941886 |
| 250+: | ¥6.091859 |
| 500+: | ¥5.383504 |
| 1000+: | ¥4.250134 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.92