货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.91728 | ¥9.92 |
10 | ¥8.783877 | ¥87.84 |
25 | ¥7.933824 | ¥198.35 |
100 | ¥6.942097 | ¥694.21 |
250 | ¥6.092044 | ¥1523.01 |
500 | ¥5.383667 | ¥2691.83 |
1000 | ¥4.250263 | ¥4250.26 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 12.5 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 5.3 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 800 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
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0MT3S113(TE85L,F)
型号:MT3S113(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.91728 |
10+: | ¥8.783877 |
25+: | ¥7.933824 |
100+: | ¥6.942097 |
250+: | ¥6.092044 |
500+: | ¥5.383667 |
1000+: | ¥4.250263 |
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单价:¥0.00总价:¥9.92