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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 12.5 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 5.3 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 800 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
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0MT3S113(TE85L,F)
型号:MT3S113(TE85L,F)
品牌:Toshiba
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