MT3S111P(TE12L,F)
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- 制造商编号：
- MT3S111P(TE12L,F)
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管射频
- 商品描述：
- RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
- 渠道：
- digikey
库存 ：7000
货期：（7~10天）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥5.419085 | ￥5419.09 |
| 2000 | ￥5.057813 | ￥10115.63 |
| 5000 | ￥4.804922 | ￥24024.61 |
| 10000 | ￥4.606293 | ￥46062.93 |
| 25000 | ￥4.479777 | ￥111994.43 |
| 50000 | ￥4.335269 | ￥216763.45 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 8 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 6 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 1 W
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 50 mg
MT3S111P(TE12L,F) 同类别型号
注
MT3S111P(TE12L,F)
型号：MT3S111P(TE12L,F)
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：7000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥5.419085 |
| 2000+： | ￥5.057813 |
| 5000+： | ￥4.804922 |
| 10000+： | ￥4.606293 |
| 25000+： | ￥4.479777 |
| 50000+： | ￥4.335269 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00