VT6T12T2R
库存 ：7875
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.974622 | ￥4.97 |
| 10 | ￥3.842896 | ￥38.43 |
| 100 | ￥2.305738 | ￥230.57 |
| 500 | ￥2.135357 | ￥1067.68 |
| 1000 | ￥1.452094 | ￥1452.09 |
| 2000 | ￥1.336806 | ￥2673.61 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 150 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 300 MHz
集电极连续电流 - 100 mA
直流集电极 0.9
直流电流增益（Max） 1.1
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 VT6T12
VT6T12T2R 同类别型号
注
VT6T12T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、VT6T12T2R
数据手册PDF。
VT6T12T2R
型号：VT6T12T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：7875 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.974622 |
| 10+： | ￥3.842896 |
| 100+： | ￥2.305738 |
| 500+： | ￥2.135357 |
| 1000+： | ￥1.452094 |
| 2000+： | ￥1.336806 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.97