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MT3S111P(TE12L,F)

Toshiba(东芝)
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制造商编号:
MT3S111P(TE12L,F)
制造商:
Toshiba(东芝)
产品类别:
晶体管射频
商品描述:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
渠道:
digikey

库存 :7874

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 10.996861 11.00
10 9.773615 97.74
25 8.822201 220.56
100 7.720044 772.00
250 6.774066 1693.52
500 5.986494 2993.25

规格参数

关键信息

制造商 Toshiba

商标 Toshiba

技术类参数

晶体管类型 Bipolar

技术 SiGe

晶体管极性 NPN

工作频率 8 GHz

直流集电极 200

击穿电压(集电极-发射极) 6 V

发射极 - 基极电压 0.6 V

集电极连续电流 100 mA

配置 Single

最大直流电集电极电流 100 mA

耗散功率 1 W

物理类型

产品种类 射频(RF)双极晶体管

安装风格 SMD/SMT

产品类型 RF Bipolar Transistors

单位重量 50 mg

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MT3S111P(TE12L,F)

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型号:MT3S111P(TE12L,F)

品牌:Toshiba

供货:锐单

库存:7874 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥10.996861
10+: ¥9.773615
25+: ¥8.822201
100+: ¥7.720044
250+: ¥6.774066
500+: ¥5.986494

货期:7-10天

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