
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.608731 | ¥12.61 |
| 10 | ¥11.206187 | ¥112.06 |
| 25 | ¥10.11532 | ¥252.88 |
| 100 | ¥8.851612 | ¥885.16 |
| 250 | ¥7.766978 | ¥1941.74 |
| 500 | ¥6.863966 | ¥3431.98 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 8 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 6 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 1 W
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 50 mg
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0MT3S111P(TE12L,F)
型号:MT3S111P(TE12L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.608731 |
| 10+: | ¥11.206187 |
| 25+: | ¥10.11532 |
| 100+: | ¥8.851612 |
| 250+: | ¥7.766978 |
| 500+: | ¥6.863966 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.61