货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.996861 | ¥11.00 |
10 | ¥9.773615 | ¥97.74 |
25 | ¥8.822201 | ¥220.56 |
100 | ¥7.720044 | ¥772.00 |
250 | ¥6.774066 | ¥1693.52 |
500 | ¥5.986494 | ¥2993.25 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 8 GHz
直流集电极 200
击穿电压(集电极-发射极) 6 V
发射极 - 基极电压 0.6 V
集电极连续电流 100 mA
配置 Single
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 1 W
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 50 mg
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0MT3S111P(TE12L,F)
型号:MT3S111P(TE12L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.996861 |
10+: | ¥9.773615 |
25+: | ¥8.822201 |
100+: | ¥7.720044 |
250+: | ¥6.774066 |
500+: | ¥5.986494 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.00