
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.143476 | ¥6.14 |
| 10 | ¥5.229099 | ¥52.29 |
| 100 | ¥3.638939 | ¥363.89 |
| 500 | ¥2.841429 | ¥1420.71 |
| 1000 | ¥2.309519 | ¥2309.52 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 750 pC
耗散功率 175 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.8 mm
长度 1.575 mm
宽度 0.76 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1012R-GE3
单位重量 2 mg
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0SI1012R-T1-GE3
型号:SI1012R-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.143476 |
| 10+: | ¥5.229099 |
| 100+: | ¥3.638939 |
| 500+: | ¥2.841429 |
| 1000+: | ¥2.309519 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.14