货期:国内(1~3工作日)
起订量:5
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5 | ¥0.875599 | ¥4.38 |
50 | ¥0.718606 | ¥35.93 |
150 | ¥0.64011 | ¥96.02 |
500 | ¥0.581237 | ¥290.62 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 23.1 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 42 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMP2035UVT-7
型号:DMP2035UVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
5+: | ¥0.875599 |
50+: | ¥0.718606 |
150+: | ¥0.64011 |
500+: | ¥0.581237 |
货期:1-2天
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