DTC113ZU3HZGT106
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.828918 | ￥2486.75 |
| 6000 | ￥0.720822 | ￥4324.93 |
| 15000 | ￥0.612729 | ￥9190.93 |
| 30000 | ￥0.576601 | ￥17298.03 |
| 75000 | ￥0.540617 | ￥40546.28 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 1 kOhms
典型电阻器比率 10
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
最大直流电集电极电流 100 mA
输出电压 100 mV
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
DTC113ZU3HZGT106 同类别型号
注
DTC113ZU3HZGT106品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管
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替代型号
、DTC113ZU3HZGT106
数据手册PDF。
DTC113ZU3HZGT106
型号：DTC113ZU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.828918 |
| 6000+： | ￥0.720822 |
| 15000+： | ￥0.612729 |
| 30000+： | ￥0.576601 |
| 75000+： | ￥0.540617 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00