
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.815162 | ¥2445.49 |
| 6000 | ¥0.765758 | ¥4594.55 |
| 15000 | ¥0.716354 | ¥10745.31 |
| 30000 | ¥0.657092 | ¥19712.76 |
| 75000 | ¥0.63239 | ¥47429.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 ns
正向跨导(Min) 1.3 S
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.8 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0ZXM61N02FTA
型号:ZXM61N02FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.815162 |
| 6000+: | ¥0.765758 |
| 15000+: | ¥0.716354 |
| 30000+: | ¥0.657092 |
| 75000+: | ¥0.63239 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00