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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.99695 | ¥2990.85 |
6000 | ¥0.936529 | ¥5619.17 |
15000 | ¥0.876107 | ¥13141.60 |
30000 | ¥0.80363 | ¥24108.90 |
75000 | ¥0.773418 | ¥58006.35 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 ns
正向跨导(Min) 1.3 S
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.8 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXM61N02FTA
型号:ZXM61N02FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.99695 |
6000+: | ¥0.936529 |
15000+: | ¥0.876107 |
30000+: | ¥0.80363 |
75000+: | ¥0.773418 |
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