
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.484866 | ¥9.48 |
| 10 | ¥5.950988 | ¥59.51 |
| 100 | ¥3.807716 | ¥380.77 |
| 500 | ¥2.881259 | ¥1440.63 |
| 1000 | ¥2.582179 | ¥2582.18 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3.4 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.2 ns
正向跨导(Min) 1.3 S
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.8 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXM61N02FTA
型号:ZXM61N02FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.484866 |
| 10+: | ¥5.950988 |
| 100+: | ¥3.807716 |
| 500+: | ¥2.881259 |
| 1000+: | ¥2.582179 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.48