货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.923235 | ¥2769.70 |
6000 | ¥0.884944 | ¥5309.66 |
9000 | ¥0.796392 | ¥7167.53 |
30000 | ¥0.784638 | ¥23539.14 |
75000 | ¥0.737406 | ¥55305.45 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 57 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 860 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2302DDS-T1-BE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2302DDS-T1-GE3
型号:SI2302DDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.923235 |
6000+: | ¥0.884944 |
9000+: | ¥0.796392 |
30000+: | ¥0.784638 |
75000+: | ¥0.737406 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00