货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.315158 | ¥3945.47 |
6000 | ¥1.230334 | ¥7382.00 |
15000 | ¥1.14544 | ¥17181.60 |
30000 | ¥1.086056 | ¥32581.68 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 81 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDN357N_NL
单位重量 30 mg
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0FDN357N
型号:FDN357N
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.315158 |
6000+: | ¥1.230334 |
15000+: | ¥1.14544 |
30000+: | ¥1.086056 |
货期:1-2天
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