FDN357N
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- 制造商编号：
- FDN357N
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.436205 | ￥6.44 |
| 10 | ￥5.501134 | ￥55.01 |
| 100 | ￥4.105813 | ￥410.58 |
| 500 | ￥3.225632 | ￥1612.82 |
| 1000 | ￥2.492513 | ￥2492.51 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 81 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDN357N_NL
单位重量 30 mg
FDN357N 同类别型号
注
FDN357N品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDN357N
数据手册PDF。
FDN357N
型号：FDN357N
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.436205 |
| 10+： | ￥5.501134 |
| 100+： | ￥4.105813 |
| 500+： | ￥3.225632 |
| 1000+： | ￥2.492513 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.44