NCV1413BDR2G
库存 ：39154
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.594754 | ￥9.59 |
| 10 | ￥8.435906 | ￥84.36 |
| 25 | ￥7.930002 | ￥198.25 |
| 100 | ￥6.009805 | ￥600.98 |
| 250 | ￥5.114876 | ￥1278.72 |
| 500 | ￥4.858933 | ￥2429.47 |
| 1000 | ￥3.708185 | ￥3708.18 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Array 7
晶体管极性 NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
最大直流电集电极电流 0.5 A
直流集电极 1000
外形参数
高度 1.5 mm
长度 10 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 达林顿晶体管
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 Darlington Transistors
单位重量 666 mg
NCV1413BDR2G 相关产品
NCV1413BDR2G 同类别型号
注
NCV1413BDR2G
型号：NCV1413BDR2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：39154 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.594754 |
| 10+： | ￥8.435906 |
| 25+： | ￥7.930002 |
| 100+： | ￥6.009805 |
| 250+： | ￥5.114876 |
| 500+： | ￥4.858933 |
| 1000+： | ￥3.708185 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.59