QSX8TR
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.229767 | ￥3689.30 |
| 6000 | ￥1.167209 | ￥7003.25 |
| 9000 | ￥1.083836 | ￥9754.52 |
| 30000 | ￥1.058837 | ￥31765.11 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 120 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 1.25 W
增益带宽产品 320 MHz
集电极连续电流 1 A
直流集电极 270
直流电流增益（Max） 680
技术 Si
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 QSX8
QSX8TR 同类别型号
注
QSX8TR
型号：QSX8TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.229767 |
| 6000+： | ￥1.167209 |
| 9000+： | ￥1.083836 |
| 30000+： | ￥1.058837 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00