QSX8TR
库存 ：265
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.725646 | ￥7.73 |
| 10 | ￥6.591721 | ￥65.92 |
| 100 | ￥4.580561 | ￥458.06 |
| 500 | ￥3.576726 | ￥1788.36 |
| 1000 | ￥2.907211 | ￥2907.21 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 120 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 1.25 W
增益带宽产品 320 MHz
集电极连续电流 1 A
直流集电极 270
直流电流增益（Max） 680
技术 Si
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 QSX8
QSX8TR 同类别型号
注
QSX8TR
型号：QSX8TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：265 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.725646 |
| 10+： | ￥6.591721 |
| 100+： | ￥4.580561 |
| 500+： | ￥3.576726 |
| 1000+： | ￥2.907211 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.73