
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.841301 | ¥2523.90 |
| 6000 | ¥0.787079 | ¥4722.47 |
| 15000 | ¥0.732743 | ¥10991.15 |
| 30000 | ¥0.694775 | ¥20843.25 |
| 75000 | ¥0.687539 | ¥51565.43 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 34 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 985 ns
上升时间 420 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 1325 ns
典型接通延迟时间 160 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1401EDH-T1-BE3 SI1401EDH-GE3
单位重量 7.500 mg
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0SI1401EDH-T1-GE3
型号:SI1401EDH-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.841301 |
| 6000+: | ¥0.787079 |
| 15000+: | ¥0.732743 |
| 30000+: | ¥0.694775 |
| 75000+: | ¥0.687539 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00