US6T8TR
库存 ：2970
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.042933 | ￥7.04 |
| 10 | ￥6.005028 | ￥60.05 |
| 25 | ￥5.604692 | ￥140.12 |
| 100 | ￥4.16398 | ￥416.40 |
| 250 | ￥3.955411 | ￥988.85 |
| 500 | ￥3.250622 | ￥1625.31 |
| 1000 | ￥2.642212 | ￥2642.21 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 12 V
集电极—基极电压 - 15 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 85 mV
最大直流电集电极电流 - 1.5 A
耗散功率 1 W
增益带宽产品 400 MHz
集电极连续电流 - 1.5 A
直流集电极 270
直流电流增益（Max） 680
技术 Si
外形参数
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 US6T8
US6T8TR 同类别型号
注
US6T8TR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、US6T8TR
数据手册PDF。
US6T8TR
型号：US6T8TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2970 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.042933 |
| 10+： | ￥6.005028 |
| 25+： | ￥5.604692 |
| 100+： | ￥4.16398 |
| 250+： | ￥3.955411 |
| 500+： | ￥3.250622 |
| 1000+： | ￥2.642212 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.04