MMBTH10M3T5G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：8000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ￥0.302282 | ￥2418.26 |
| 16000 | ￥0.25692 | ￥4110.72 |
| 24000 | ￥0.241838 | ￥5804.11 |
| 56000 | ￥0.226697 | ￥12695.03 |
| 200000 | ￥0.196475 | ￥39295.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 -
耗散功率 640 mW
增益带宽产品 650 MHz
直流集电极 60 at 4 mA, 10 V
直流电流增益（Max） 60 at 4 mA, 10 V
技术 Si
外形参数
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.275 mg
MMBTH10M3T5G 同类别型号
注
MMBTH10M3T5G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、MMBTH10M3T5G
数据手册PDF。
MMBTH10M3T5G
型号：MMBTH10M3T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 8000+： | ￥0.302282 |
| 16000+： | ￥0.25692 |
| 24000+： | ￥0.241838 |
| 56000+： | ￥0.226697 |
| 200000+： | ￥0.196475 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00