MMBTH10M3T5G
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.853602 | ￥4.85 |
| 10 | ￥3.939983 | ￥39.40 |
| 25 | ￥3.29474 | ￥82.37 |
| 100 | ￥2.087051 | ￥208.71 |
| 250 | ￥1.611396 | ￥402.85 |
| 500 | ￥1.373286 | ￥686.64 |
| 1000 | ￥0.93389 | ￥933.89 |
| 2500 | ￥0.842243 | ￥2105.61 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 -
耗散功率 640 mW
增益带宽产品 650 MHz
直流集电极 60 at 4 mA, 10 V
直流电流增益（Max） 60 at 4 mA, 10 V
技术 Si
外形参数
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.275 mg
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注
MMBTH10M3T5G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、MMBTH10M3T5G
数据手册PDF。
MMBTH10M3T5G
型号：MMBTH10M3T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.853602 |
| 10+： | ￥3.939983 |
| 25+： | ￥3.29474 |
| 100+： | ￥2.087051 |
| 250+： | ￥1.611396 |
| 500+： | ￥1.373286 |
| 1000+： | ￥0.93389 |
| 2500+： | ￥0.842243 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥4.85