SI2369DS-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2369DS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.851176 | ￥2553.53 |
| 6000 | ￥0.807929 | ￥4847.57 |
| 9000 | ￥0.750224 | ￥6752.02 |
| 30000 | ￥0.732863 | ￥21985.89 |
| 75000 | ￥0.714238 | ￥53567.85 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11.4 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2369DS-T1-BE3
单位重量 8 mg
SI2369DS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2369DS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2369DS-T1-GE3、查询SI2369DS-T1-GE3代理商；
SI2369DS-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI2369DS-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI2369DS-T1-GE3
替代型号
、SI2369DS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2369DS-T1-GE3
型号：SI2369DS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.851176 |
| 6000+： | ￥0.807929 |
| 9000+： | ￥0.750224 |
| 30000+： | ￥0.732863 |
| 75000+： | ￥0.714238 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00