货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.968209 | ¥2904.63 |
6000 | ¥0.919016 | ¥5514.10 |
9000 | ¥0.853377 | ¥7680.39 |
30000 | ¥0.833628 | ¥25008.84 |
75000 | ¥0.812442 | ¥60933.15 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11.4 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2369DS-T1-BE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2369DS-T1-GE3
型号:SI2369DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.968209 |
6000+: | ¥0.919016 |
9000+: | ¥0.853377 |
30000+: | ¥0.833628 |
75000+: | ¥0.812442 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00