NSS60101DMTTBG
库存 ：2980
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.510924 | ￥8.51 |
| 10 | ￥7.530002 | ￥75.30 |
| 100 | ￥5.773003 | ￥577.30 |
| 500 | ￥4.563298 | ￥2281.65 |
| 1000 | ￥3.650609 | ￥3650.61 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 130 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 2.27 W
增益带宽产品 180 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8.690 mg
NSS60101DMTTBG 同类别型号
注
NSS60101DMTTBG
型号：NSS60101DMTTBG
品牌：ON
供货：锐单
库存：2980 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.510924 |
| 10+： | ￥7.530002 |
| 100+： | ￥5.773003 |
| 500+： | ￥4.563298 |
| 1000+： | ￥3.650609 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.51