SI2333DDS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2333DDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
- 渠道：
- digikey
库存 ：31184
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.984288 | ￥4.98 |
| 10 | ￥4.261567 | ￥42.62 |
| 100 | ￥2.961913 | ￥296.19 |
| 500 | ￥2.312213 | ￥1156.11 |
| 1000 | ￥1.879327 | ￥1879.33 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 26 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2333DDS-T1-BE3
单位重量 8 mg
SI2333DDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2333DDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2333DDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2333DDS-T1-GE3
型号：SI2333DDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：31184 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.984288 |
| 10+： | ￥4.261567 |
| 100+： | ￥2.961913 |
| 500+： | ￥2.312213 |
| 1000+： | ￥1.879327 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.98