NSV1C201LT1G
库存 ：2563
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.615804 | ￥9.62 |
| 10 | ￥8.208274 | ￥82.08 |
| 100 | ￥6.126243 | ￥612.62 |
| 500 | ￥4.81292 | ￥2406.46 |
| 1000 | ￥3.719227 | ￥3719.23 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 140 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 30 mV
最大直流电集电极电流 2 A
耗散功率 490 mW
增益带宽产品 110 MHz
集电极连续电流 2 A
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 360 at 500 mA, 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSV1C201LT1G 同类别型号
注
NSV1C201LT1G
型号：NSV1C201LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：2563 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.615804 |
| 10+： | ￥8.208274 |
| 100+： | ￥6.126243 |
| 500+： | ￥4.81292 |
| 1000+： | ￥3.719227 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.62