QS5W2TR
库存 ：19
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.415068 | ￥8.42 |
| 10 | ￥7.424261 | ￥74.24 |
| 100 | ￥5.696458 | ￥569.65 |
| 500 | ￥4.503419 | ￥2251.71 |
| 1000 | ￥3.602735 | ￥3602.74 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 130 mV
最大直流电集电极电流 3 A
耗散功率 1.25 W
增益带宽产品 320 MHz
直流集电极 180
直流电流增益（Max） 450
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 QS5W2
单位重量 43.316 mg
QS5W2TR 同类别型号
注
QS5W2TR
型号：QS5W2TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：19 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.415068 |
| 10+： | ￥7.424261 |
| 100+： | ￥5.696458 |
| 500+： | ￥4.503419 |
| 1000+： | ￥3.602735 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.42