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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 60 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 185 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 2.47 W
增益带宽产品 175 MHz
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 19.500 g
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0DSS4160FDB-7
型号:DSS4160FDB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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