DTC114YU3HZGT106
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.456769 | ￥1370.31 |
| 6000 | ￥0.423662 | ￥2541.97 |
| 9000 | ￥0.351383 | ￥3162.45 |
| 30000 | ￥0.345172 | ￥10355.16 |
| 75000 | ￥0.310019 | ￥23251.42 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 4.7
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
最大直流电集电极电流 100 mA
输出电压 100 mV
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
DTC114YU3HZGT106 同类别型号
注
DTC114YU3HZGT106品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管
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替代型号
、DTC114YU3HZGT106
数据手册PDF。
DTC114YU3HZGT106
型号：DTC114YU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.456769 |
| 6000+： | ￥0.423662 |
| 9000+： | ￥0.351383 |
| 30000+： | ￥0.345172 |
| 75000+： | ￥0.310019 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00