NSV1C200LT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.073732 | ￥3221.20 |
| 6000 | ￥1.019122 | ￥6114.73 |
| 9000 | ￥0.94629 | ￥8516.61 |
| 30000 | ￥0.924504 | ￥27735.12 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
集电极—基极电压 - 140 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 950 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 490 mW
增益带宽产品 120 MHz
集电极连续电流 - 2 A
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 360 at - 500 mA, - 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSV1C200LT1G 同类别型号
注
NSV1C200LT1G
型号：NSV1C200LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.073732 |
| 6000+： | ￥1.019122 |
| 9000+： | ￥0.94629 |
| 30000+： | ￥0.924504 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00