JAN2N5012
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
JAN2N5012
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
NPN TRANSISTOR
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/727
零件状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
700V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA (ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
30 @ 25mA, 10V
功率 - 最大值
1W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供应商器件封装
TO-5
JAN2N5012 同类别型号
注
JAN2N5012品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 双极性晶体管
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。
JAN2N5012
型号：JAN2N5012
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
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