DSS45160FDB-7

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 60 V, - 60 V

集电极—基极电压 60 V, - 60 V

发射极 - 基极电压 7 V, - 7 V

饱和电压 185 mV, - 550 mV

最大直流电集电极电流 1 A, - 1 A

耗散功率 405 mW

增益带宽产品 175 MHz

集电极连续电流 - 1 A, 1 A

直流集电极 170 at - 2 V at - 100 mA at - 2 V, 290 at 100 mA, 2 V

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 76 mg