库存 ：310
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起订量：1
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
2N5550
制造商
NTE
商品描述
T-NPN SI- HIV AMP
包装
-
系列
-
零件状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
140V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
250mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
60 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
625mW
频率 - 跃迁
300MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装
TO-92-3
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注
2N5550品牌厂家：NTE
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
2N5550
型号：2N5550
品牌：NTE
供货：锐单
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