QSZ4TR
库存 ：1670
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.822248 | ￥8.82 |
| 10 | ￥7.505697 | ￥75.06 |
| 100 | ￥5.600092 | ￥560.01 |
| 500 | ￥4.399452 | ￥2199.73 |
| 1000 | ￥3.399687 | ￥3399.69 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 30 V, - 30 V
集电极—基极电压 30 V, - 30 V
发射极 - 基极电压 6 V, - 6 V
饱和电压 180 mV, - 180 mV
最大直流电集电极电流 2 A, - 2 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 280 MHz
直流集电极 270
直流电流增益（Max） 680
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 QSZ4
QSZ4TR 同类别型号
注
QSZ4TR
型号：QSZ4TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1670 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.822248 |
| 10+： | ￥7.505697 |
| 100+： | ￥5.600092 |
| 500+： | ￥4.399452 |
| 1000+： | ￥3.399687 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.82