PHE13009/DG,127
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货期： 8周-10周
起订量：6000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 6000 | ￥3.947215 | ￥23683.29 |
规格参数
关键信息
制造商 WeEn Semiconductors
商标 WeEn Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 700 V
发射极 - 基极电压 -
饱和电压 320 mV
最大直流电集电极电流 12 A
耗散功率 80 W
增益带宽产品 -
直流集电极 8
直流电流增益（Max） 40
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 934065587127
单位重量 6 g
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注
PHE13009/DG,127品牌厂家：WeEn Semiconductors
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
PHE13009/DG,127
型号：PHE13009/DG,127
品牌：WeEn Semiconductors
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 6000+： | ￥3.947215 |
货期：7-10天
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