NSBA113EDXV6T1G
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货期： 8周-10周
起订量：8000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ￥0.959297 | ￥7674.38 |
| 12000 | ￥0.852694 | ￥10232.33 |
| 28000 | ￥0.799392 | ￥22382.98 |
| 100000 | ￥0.692787 | ￥69278.70 |
| 200000 | ￥0.682209 | ￥136441.80 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 1 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 3
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 100 mA
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 357 mW
直流电流增益（Max） 3
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 3 mg
NSBA113EDXV6T1G 同类别型号
注
NSBA113EDXV6T1G
型号：NSBA113EDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 8000+： | ￥0.959297 |
| 12000+： | ￥0.852694 |
| 28000+： | ￥0.799392 |
| 100000+： | ￥0.692787 |
| 200000+： | ￥0.682209 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00