货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.084978 | ¥5.08 |
10 | ¥4.333789 | ¥43.34 |
100 | ¥3.23474 | ¥323.47 |
500 | ¥2.541565 | ¥1270.78 |
1000 | ¥1.963843 | ¥1963.84 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.9 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN10H220L-7
型号:DMN10H220L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.084978 |
10+: | ¥4.333789 |
100+: | ¥3.23474 |
500+: | ¥2.541565 |
1000+: | ¥1.963843 |
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单价:¥0.00总价:¥5.08