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制造商 WeEn Semiconductors
商标 WeEn Semiconductors
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 700 V
发射极 - 基极电压 -
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 8 A
耗散功率 125 W
增益带宽产品 -
直流集电极 10
直流电流增益(Max) 36
技术 Si
高度 4.5 mm
长度 10.3 mm
宽度 9.4 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 934056850118
单位重量 2.402 g
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0BUJ105AB,118
型号:BUJ105AB,118
品牌:WeEn Semiconductors
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