BFU530R
库存 ：339
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.499034 | ￥5.50 |
| 10 | ￥4.742917 | ￥47.43 |
| 25 | ￥4.426723 | ￥110.67 |
| 100 | ￥3.541379 | ￥354.14 |
| 250 | ￥3.288422 | ￥822.11 |
| 500 | ￥2.782512 | ￥1391.26 |
| 1000 | ￥2.150122 | ￥2150.12 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar Wideband
技术 Si
晶体管极性 NPN
工作频率 900 MHz
直流集电极 60
击穿电压(集电极-发射极) 16 V
发射极 - 基极电压 2 V
集电极连续电流 10 mA
配置 Single
集电极—基极电压 24 V
直流电流增益（Max） 200
增益带宽产品 11 GHz
最大直流电集电极电流 65 mA
耗散功率 450 mW
规格参数
工作温度范围 - 40 C to + 150 C
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 Wideband RF Transistor
零件号别名 934067703215
单位重量 9 mg
BFU530R 同类别型号
注
BFU530R品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU530R
数据手册PDF
。
BFU530R
型号：BFU530R
品牌：NXP
供货：锐单
库存：339 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.499034 |
| 10+： | ￥4.742917 |
| 25+： | ￥4.426723 |
| 100+： | ￥3.541379 |
| 250+： | ￥3.288422 |
| 500+： | ￥2.782512 |
| 1000+： | ￥2.150122 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.50