NSBC114TPDXV6T1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.449524 | ￥2.45 |
| 200 | ￥0.947942 | ￥189.59 |
| 500 | ￥0.914588 | ￥457.29 |
| 1000 | ￥0.898241 | ￥898.24 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
直流集电极 160
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 357 mW
直流电流增益（Max） 160
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 3 mg
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注
NSBC114TPDXV6T1G
型号：NSBC114TPDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.449524 |
| 200+： | ￥0.947942 |
| 500+： | ￥0.914588 |
| 1000+： | ￥0.898241 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥2.45