2SB815-6-TB-E
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.24183 | ￥5.24 |
| 10 | ￥4.193464 | ￥41.93 |
| 100 | ￥2.85609 | ￥285.61 |
| 500 | ￥2.142068 | ￥1071.03 |
| 1000 | ￥1.606551 | ￥1606.55 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V
集电极—基极电压 - 20 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 15 mV
最大直流电集电极电流 - 700 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 - 700 uA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 400
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 11.650 mg
2SB815-6-TB-E 同类别型号
注
2SB815-6-TB-E
型号：2SB815-6-TB-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.24183 |
| 10+： | ￥4.193464 |
| 100+： | ￥2.85609 |
| 500+： | ￥2.142068 |
| 1000+： | ￥1.606551 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.24