SMUN5131DW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.481357 | ￥0.48 |
| 200 | ￥0.186279 | ￥37.26 |
| 500 | ￥0.179732 | ￥89.87 |
| 1000 | ￥0.176498 | ￥176.50 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 2.2 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 8
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
耗散功率 187 mW
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 7.500 mg
SMUN5131DW1T1G 同类别型号
注
SMUN5131DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、SMUN5131DW1T1G
数据手册PDF。
SMUN5131DW1T1G
型号：SMUN5131DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.481357 |
| 200+： | ￥0.186279 |
| 500+： | ￥0.179732 |
| 1000+： | ￥0.176498 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.48