货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.071497 | ¥3214.49 |
6000 | ¥1.002401 | ¥6014.41 |
15000 | ¥0.933236 | ¥13998.54 |
30000 | ¥0.884863 | ¥26545.89 |
75000 | ¥0.875645 | ¥65673.38 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 640 mA
漏源电阻 480 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1302DL-T1-BE3
单位重量 6.200 mg
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0SI1302DL-T1-GE3
型号:SI1302DL-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.071497 |
6000+: | ¥1.002401 |
15000+: | ¥0.933236 |
30000+: | ¥0.884863 |
75000+: | ¥0.875645 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00