
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.041591 | ¥6.04 |
| 10 | ¥5.135352 | ¥51.35 |
| 100 | ¥3.835038 | ¥383.50 |
| 500 | ¥3.013105 | ¥1506.55 |
| 1000 | ¥2.328484 | ¥2328.48 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 640 mA
漏源电阻 480 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1302DL-T1-BE3
单位重量 6.200 mg
购物车
0SI1302DL-T1-GE3
型号:SI1302DL-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.041591 |
| 10+: | ¥5.135352 |
| 100+: | ¥3.835038 |
| 500+: | ¥3.013105 |
| 1000+: | ¥2.328484 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.04