货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.222495 | ¥3667.49 |
6000 | ¥1.160335 | ¥6962.01 |
9000 | ¥1.07748 | ¥9697.32 |
30000 | ¥1.052601 | ¥31578.03 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 7.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 182 ns
正向跨导(Min) 60 mS
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS139 H6327 SP000702610
单位重量 34 mg
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0BSS139H6327XTSA1
型号:BSS139H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.222495 |
6000+: | ¥1.160335 |
9000+: | ¥1.07748 |
30000+: | ¥1.052601 |
货期:1-2天
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