IMH4AT110
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
直流集电极 100
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 300 mW
直流电流增益（Max） 600
发射极 - 基极电压 5 V
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
零件号别名 IMH4A
单位重量 35 mg
IMH4AT110 同类别型号
注
IMH4AT110品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
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数据手册PDF。
IMH4AT110
型号：IMH4AT110
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
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