
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.395127 | ¥9.40 |
| 10 | ¥5.818919 | ¥58.19 |
| 100 | ¥3.720169 | ¥372.02 |
| 500 | ¥2.813993 | ¥1407.00 |
| 1000 | ¥2.521379 | ¥2521.38 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 7.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 182 ns
正向跨导(Min) 60 mS
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS139 H6327 SP000702610
单位重量 34 mg
购物车
0BSS139H6327XTSA1
型号:BSS139H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.395127 |
| 10+: | ¥5.818919 |
| 100+: | ¥3.720169 |
| 500+: | ¥2.813993 |
| 1000+: | ¥2.521379 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.40