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制造商 WeEn Semiconductors
商标 WeEn Semiconductors
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 700 V
发射极 - 基极电压 -
饱和电压 240 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 2 W
增益带宽产品 -
直流集电极 9
直流电流增益(Max) 31
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 934055572412
单位重量 217 mg
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0BUJ100,412
型号:BUJ100,412
品牌:WeEn Semiconductors
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