ECH8501-TL-H
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 30 V, - 30 V
集电极—基极电压 40 V, - 30 V
发射极 - 基极电压 6 V, - 6 V
饱和电压 75 mV, - 100 mV
最大直流电集电极电流 5 A, - 5 A
耗散功率 1.6 W
增益带宽产品 280 MHz, 260 MHz
直流集电极 200 at 500 mA, 2 V
直流电流增益（Max） 560 at 500 mA, 2 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 18.080 mg
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注
ECH8501-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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数据手册PDF。
ECH8501-TL-H
型号：ECH8501-TL-H
品牌：ON
供货：锐单
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