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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 NPN
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 12 V
发射极 - 基极电压 3 V
集电极连续电流 80 mA
配置 Single
集电极—基极电压 20 V
直流电流增益(Max) 240
增益带宽产品 7 GHz
最大直流电集电极电流 80 mA
耗散功率 100 mW
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
单位重量 12 mg
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02SC5087YTE85LF
型号:2SC5087YTE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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